N沟道功率MOSFET,采用沟槽技术,低栅极电荷和导通电阻,适用于多种应用

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流20 A
导通电阻3.4 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流20 A
导通电阻3.4 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@4.5V
数量1个N沟道

技术资料

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