MDD2002KT
MDD德国

MDD2002KT

晶体管 - FET，MOSFET - 单

20V N通道增强模式MOSFET

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流750 mA
导通电阻250 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流750 mA
导通电阻250 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)750mA
其他
导通电阻(RDS(on))250mΩ@4.5V
数量1个N沟道

器件图片

MDD2002KT实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 448.9 KB · 2026-09-21封装图纸封装图纸 · 22.7 KB · 2026-09-22
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