MP33N10T
吉林华微中国

MP33N10T

在产单 FET，MOSFET

200V以下系列 — ID@25℃(A): 33、ID@100℃(A): 23、PD(W): 208、BVdss(V): 100

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技术参数

BVdss(V)100
ID@100℃(A)23
ID@25℃(A)33
PD(W)208
Rds(on)(Ω)0.065

器件图片

MP33N10T实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 407.2 KB · 2026-09-23
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