SINO-IC(光宇睿芯)中国

MT7N65L

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压650 V
连续漏极电流7.4 A
导通电阻1.35 Ω

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技术参数

耐压650 V
连续漏极电流7.4 A
导通电阻1.35 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7.4A
其他
导通电阻(RDS(on))1.35Ω@10V
耗散功率(Pd)142W

技术资料

数据手册数据手册 · 977.6 KB · 2026-09-21
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