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NJS65R600F

晶体管 - FET，MOSFET - 单

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PFC开关电路、双管正激或LLC谐振。

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流7 A
导通电阻600 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流7 A
导通电阻600 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
其他
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 714.1 KB · 2026-09-21
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