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MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流26 ~ 148 A
导通电阻2.6 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流26 ~ 148 A
导通电阻2.6 mΩ最大 · 24A
阈值电压2.4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 148A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case5-ICEPAK
Supplier Device Package4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
其他
Base Product NumberNTMKE4
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4270 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 24A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

技术资料

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