NVTYS006N06CLTWG
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NVTYS006N06CLTWG

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-1205

T6 60V N-CH LL IN LFPAK33

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流16 ~ 71 A
导通电阻6.8 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流16 ~ 71 A
导通电阻6.8 mΩ最大 · 35A
阈值电压2 V最大 · 53μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 71A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)3.2W (Ta), 63W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Supplier Device Package8-LFPAK
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 35A, 10V
SeriesAutomotive, AEC-Q101
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 53µA

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