PJM20DN30DN
晶体管 - FET，MOSFET - 单2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=20A RDS(ON)<15mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |