台积电流片,长电科技封装;DFN6(2X2);P--Channel沟道;-20V;-10A;RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-0.6V;采用Trench技术;

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

该型号暂未提供技术参数。

技术资料