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技术参数

电源
Ic(25℃)-集电极直流电流20A
PD(25℃)-最大允许功耗107W
Vce(sat)-集射极导通饱和电压1.6V
Vces-集射极阻断电压430V
环境与封装
封装类型1TO252
其他
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Qg-栅极充电电荷14nC
Tf-开关关断时间2400ns
Vges-门极发射极耐压10V
引脚数量13
软开关0
集成ESD二极管1
集成串联二极管0

器件图片

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