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RM50P40LD

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-252-2

MOSFET P-CHANNEL 40V 52A TO252-2

问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流52 A
导通电阻13 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流52 A
导通电阻13 mΩ最大 · 18A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)52.1W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252-2
其他
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 15 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 18A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

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