RM8N650HD
Rectron USA中国台湾

RM8N650HD

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-263-2

MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流8 A
导通电阻450 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流8 A
导通电阻450 mΩ最大 · 4A
阈值电压3.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)80W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263-2
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 50 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 4A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

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