Reactor-Micro(亚成微)中国

RMA07N65SP

在产单 FET，MOSFETTO-252

高压平面MOSFET

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技术参数

电源
Voltage Level650V
环境与封装
PackageTO-252
其他
BVDSS (V) Min.650
BVDSS (V) Typ.670
ID(A) Max.7
RDS(ON)(Ω) (VGS=10V) Max.1.4
RDS(ON)(Ω) (VGS=10V) Typ.1.1
V(th)(V) Max.4
V(th)(V) Min.2
V(th)(V) Typ.3

技术资料

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