RZF013P01TL-HXY

RZF013P01TL 是一款高可靠性P沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-323封装,专为小型化及高效能电子设备设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS),并可稳定传输1.8A的连续漏极电流(ID),其120mΩ的导通电阻(RD(on))保障了在低功耗条件下的良好能效表现。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护系统等领域,是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.8 A
导通电阻150 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.8 A
导通电阻150 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.8A
其他
导通电阻(RDS(on))150mΩ@4.5V
数量1个P沟道

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