P沟道增强型MOSFET,适用于负载/电源开关、接口开关和逻辑电平转换

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.4 A
导通电阻85 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.4 A
导通电阻85 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
其他
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V
数量1个P沟道

技术资料

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