HL(富海微)中国
S110P06T
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-110A
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流110 A
导通电阻7 mΩ
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流110 A
导通电阻7 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |