HL(富海微)中国
S400N06HTL
晶体管 - FET，MOSFET - 单平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A
耐压60 V
连续漏极电流400 A
导通电阻1.55 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流400 A
导通电阻1.55 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 400A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 454.5W |