SC120N120H7-R

在产单 FET,MOSFETTO-263-7H

V1.1

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技术参数

环境与封装
PackageTO-263-7H
封装TO-263-7H
其他
Ciss[pF]973
ConfigurationSingle_N
Coss[pF]40
Crss[pF]5.1
Id [A] 25℃19
Qgd[nC]12
Qg[nC] at 10V45
Qgs[nC]20
Rds(on) [mohm] at(Vgs=18V)max160
Rds(on) [mohm] at(Vgs=18V)typ120
Sample StatusAvailable
Vds [min V]1200
Vgs(th) [typ V]3.2

技术资料