SM7340EHKP-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流50 A
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流50 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 其他 | |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@15V |