AF(晶岳)中国

SSC65TR15GT6

在产IGBT单管及模块(未细分)TO-263-3L

IGBT semiconductor device

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技术参数

环境与封装
PackageTO-263-3L
其他
IC (A)15
Part No.SSC65TR15GT6
TechnologyIGBT+FRD
VCE(sat) (V)1.6
VCES(V)650
VGES (±V)±20
VGE(th) Max. (V)5.9
VGE(th)Min. (V)5.4

技术资料