AF(晶岳)中国

SSCP856GSG

在产单个双极晶体管SOT-363

BJT semiconductor device

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放大倍数 hFE110

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技术参数

放大倍数 hFE110
环境与封装
PackageSOT-363
其他
Conf.PNP
HFE110
IC(A)-0.1
Part No.SSCP856GSG
VCBO (V)-80
VCEO (V)-65
VCESAT(mV)-100
VEBO(V)-5

技术资料

数据手册数据手册 · 783.4 KB · 2026-09-23
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