AF(晶岳)中国

SSCT3V321D2

在产静电和浪涌保护(TVS/ESD)SOD-323

ESD semiconductor device

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技术参数

环境与封装
PackageSOD-323
其他
Chan.1
CJ (pF)450
Dir.Uni.
IPP_Max @8/20us (A)20
IR (uA)40
Part No.SSCT3V321D2
PPP_Max(W)350
VBR (V)4
VC_Max (V)10.5
VRWM (V)3.3

技术资料