SSF2610E-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；2个N—Channel沟道,20V；10A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
耐压20 V
连续漏极电流10 A
导通电阻12 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流10 A
导通电阻12 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |