STB36NM60N

STB36NM60N

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单D²PAK

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

查看替代型号问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流29 A
导通电阻105 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

已收录 6 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流29 A
导通电阻105 mΩ最大 · 14.5A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)210W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
其他
Base Product NumberSTB36
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2722 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 14.5A, 10V
SeriesAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。