SW028P04-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；P—Channel沟道,-40V；-8A；RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻20.8 mΩ
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沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻20.8 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.8mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |