SW640-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3V；
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流30 A
导通电阻110 mΩ
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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流30 A
导通电阻110 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |