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SWF2N65DB

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻3.9 Ω

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技术参数

耐压650 V
连续漏极电流2 A
导通电阻3.9 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
其他
导通电阻(RDS(on))3.9Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)16.4W

技术资料

数据手册数据手册 · 743.3 KB · 2026-09-21
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