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技术参数

数据速率1 Mbps最大
电源
VIOSM-浪涌电压4KV
VIOTM-瞬态过电压6KV
VISO-隔离电压2500Vrms
前向通道数2ch
双向通道数0ch
后向通道数2ch
最大供电电压5.5V
最大工作电压5.5V
最小供电电压2.5V
最小工作电压2.5V
交流 / 直流特性
TpHL传播延迟时间35ns
tpHL-关断传输延迟时间35ns
TpLH传播延迟时间35ns
tpLH-开通传输延迟时间35ns
脉宽失真时间25ns
环境与封装
VISO-隔离电压等级2500Vrms
封装类型1WB SOIC
最大工作温度125℃
最小工作温度-40℃
其他
ESD(CDM)NKV
ESD(HBM)NKV
Tf上升时间2.5ns
tf-下降时间2.5ns
Tr上升时间2.5ns
tr-上升时间2.5ns
共模瞬态抗扰度35kV/μs
引脚数量116
最大数据速率1Mbps

技术资料