TBC858C

30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

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技术参数

电源
基极电流 IB (mA)0.5
电流放大倍数 hFE max800
电流放大倍数 hFE min420
集电极-发射极击穿电压 VCEO (V)30
集电极电流 IC (A)0.1
交流 / 直流特性
特征频率 fT min (MHz)100
环境与封装
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageSOT-23
其他
AEC-Q 车规认证YES
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-65
最大耗散功率 PD (mW)0.25
最高结温 Tj max (℃)150
极性 PolarityPNP
生命周期 Marketing StatusActive
饱和压降 VCE(sat) (V)0.3

器件图片

技术资料