TMC(台懋)中国

TM04P02AI

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,-20V,-4A,29mΩ@-4.5v

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4 A
导通电阻35 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4 A
导通电阻35 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))35mΩ
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 13.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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