TMC(台懋)中国

TM30P02DF

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,-20V,-30A,15mΩ@-4.5v

问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V,7A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 13.1 MB · 2026-09-21
进入资料中心