TMC(台懋)中国

TM3400AI

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,30V,6.5A,23mΩ@10v

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻23 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻23 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
其他
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 6.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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