TMC(台懋)中国

TM60P03DF

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道,-30V,-60A,7.5mΩ@-10v

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沟道P 沟道
耐压30 V
导通电阻10 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
导通电阻10 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)30V
环境与封装
工作温度-55℃~+150℃
其他
导通电阻(RDS(on))10mΩ
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 13.3 MB · 2026-09-21
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