IC REG BUCK 3.3V 3A 20HTSSOP
TPS54316MPWPREP 是一款 3V 至 6V 输入、3.3V 固定输出、3A 连续输出的同步降压 PWM 稳压器,采用 20 引脚 HTSSOP (PWP) 封装,工作温度 -55°C 至 125°C,集成 60mΩ MOSFET规格书核对
输入电压范围3 ~ 6 V
输出电压3.3 V
输出电流3 A
开关频率280 ~ 700 kHz
全部替代型号
查看完整报告已收录 1 个替代型号,登录后查看。
技术参数
输入电压范围3 ~ 6 V
输出电压3.3 V
输出电流3 A最大
开关频率280 ~ 700 kHz
规格书核对参数
27 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 输入电压范围 | 3 V to 6 V | |
| 输出电压 | 3.3 V (Typ) at T_J=25°C, V_IN=5.0 V; -3.0% to 3.0% over 3≤V_IN≤6V, 0≤I_L≤3A, -55°C ≤ T_J≤125°C | |
| 输出电流 | 3 A Continuous | |
| 开关频率 | Fixed 350 kHz or 550 kHz; Adjustable 280 kHz to 700 kHz | |
| 封装 | HTSSOP (PWP), 20 Pins | |
| 工作温度 | -55°C to 125°C |
全部参数(21 项)
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Output | 3A |
| Voltage - Input (Max) | 6V |
| Voltage - Input (Min) | 3V |
| Voltage - Output (Max) | - |
| Voltage - Output (Min/Fixed) | 3.3V |
| 交流 / 直流特性 | |
| Frequency - Switching | 350kHz, 550kHz |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | 20-PowerTSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 20-HTSSOP |
| 其他 | |
| Base Product Number | TPS54316 |
| Function | Step-Down |
| Mfr | Texas Instruments |
| Number of Outputs | 1 |
| Output Configuration | Positive |
| Output Type | Fixed |
| Product Status | Active |
| Series | SWIFT™ |
| Synchronous Rectifier | Yes |
| Topology | Buck |
引脚与封装
NC − No internal connection
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | AGND,模拟地。补偿网络/输出分压器、软启动电容、VBIAS电容、RT电阻和FSEL引脚的返回端。PowerPAD连接至AGND。 | ||
| 2 | VSENSE,误差放大器反相输入端。直接连接到输出电压检测点。 | ||
| 3 | NC,无内部连接。 | ||
| 4 | PWRGD,电源正常开漏输出。当VSENSE ≥ 90% V_ref时为高阻态,否则为低电平。当SS/ENA为低或内部关断信号激活时输出为低。 | ||
| 5 | BOOT,自举输入。从BOOT到PH连接0.022-μF至0.1-μF低ESR电容,为高侧FET驱动器产生浮动驱动。 | ||
| 17 | VBIAS,内部偏置稳压器输出。为内部电路提供稳压电压。用高品质低ESR 0.1-μF至1-μF陶瓷电容将VBIAS引脚旁路至AGND引脚。 | ||
| 18 | SS/ENA,软启动/使能输入/输出。双功能引脚,提供逻辑输入以启用/禁用器件工作,并提供电容输入以外部设定启动时间。 | ||
| 19 | FSEL,频率选择输入。提供逻辑输入以在两个内部设定的开关频率之间进行选择。 | ||
| 20 | RT,频率设定电阻输入。从RT到AGND连接电阻以设定开关频率 f_s。 | ||
| 11-13 | PGND,功率地。低侧驱动器和功率MOSFET的大电流返回端。用大面积铜箔连接PGND至输入和输出电源返回端及输入输出电容负极。 | ||
| 14-16 | VIN,功率MOSFET开关和内部偏置稳压器的输入电源。在器件封装附近用高品质低ESR 1-μF至10-μF陶瓷电容将VIN引脚旁路至PGND引脚。 | ||
| 6-10 | PH,相位输入/输出。内部高侧和低侧功率MOSFET及输出电感的连接点。 |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。