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TPUF630G-TN3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压200 V
连续漏极电流6 A
导通电阻690 mΩ

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技术参数

耐压200 V
连续漏极电流6 A
导通电阻690 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)6A
其他
导通电阻(RDS(on))690mΩ@10V,1A
耗散功率(Pd)38.4W

技术资料

数据手册数据手册 · 21.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 922.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 903.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 894.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 864.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 554.8 KB · 2026-09-21
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