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TPUT3N06G-AE3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻125 mΩ

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻125 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
其他
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V,3A
耗散功率(Pd)350mW

技术资料

数据手册数据手册 · 21.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 903.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 894.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 864.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 554.8 KB · 2026-09-21
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