TWGMC(台湾迪嘉)中国

TW100N03CC

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道/30V/100A

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耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻4.7 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻4.7 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
其他
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 3.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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