UT2301ZG-AE3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻60 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻60 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,3A |
| 数量 | 1个P沟道 |