UTC(友顺)中国

UT2316G-AE3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,30V,3.6A,50mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流3.6 A
导通电阻50 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流3.6 A
导通电阻50 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V,3.4A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 175.9 KB · 2026-09-21
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