JSMSEMI(杰盛微)中国

UT2352G-AE3-R-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。

问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.3 A
导通电阻78 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
其他
导通电阻(RDS(on))78mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
进入资料中心