UT3409G-AE3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻54 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.6 A
导通电阻54 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |