UT3416G-AE3-R-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
导通电阻30 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
导通电阻30 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6.0A |
| 数量 | 1个N沟道 |