UT3418G-AE3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻33 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻33 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |