UT3N01ZL-AE2-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
耐压60 V
连续漏极电流250 mA
导通电阻2.8 Ω
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耐压60 V
连续漏极电流250 mA
导通电阻2.8 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |