UTC(友顺)中国

UT3N06G-AE3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻90 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻90 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
其他
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V,3A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 49.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 241.2 KB · 2026-09-21
进入资料中心