UT4101G-AE3-R-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻110 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻110 mΩ最大 · 1.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V,1.0A |
| 数量 | 1个P沟道 |