VBsemi(微碧半导体)中国

UT4101G-AE3-R-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单

SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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数据手册数据手册 · 241.8 KB · 2026-09-21
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