UT4406L-S08-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
耐压30 V
连续漏极电流13 A
导通电阻8 mΩ
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耐压30 V
连续漏极电流13 A
导通电阻8 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,10A |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |