UT4446G-S08-R
晶体管 - FET，MOSFET - 单电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻6.5 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻6.5 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |