UT6898G-S08-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N沟道场效应管，采用Trench技术制造，具有优良的温度特性和高可靠性，适用于中功率应用场景。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；10A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流10 A
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流10 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.78W |